村田制作所的高容量密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发，并使用三维技术来大幅增加电容器表面积，从而在不增加电容器占位面积的情况下，尽可能增加电容量。Murata硅技术是基于嵌在单晶基材中的单片结构（单层MIM和多层MIM -- 金属绝缘体金属）。
更小尺寸，更高性能
这种先进的3D拓扑结构可在惊人的100 μm厚度内实现相当于80层陶瓷层的有效容值区域（可根据要求提供低容值）。 由于其使用了非常线性和低色散的电介质，因此在小型化尺寸，电容值和电气性能等方面实现了优化。
目标细分市场
网络（RF电源和宽带），医疗，汽车和通信等需要高可靠性的应用场景。
以下视频介绍了3D硅电容器的用途、性能和小型化方面等主要优势