东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
应用：
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器
特性：
- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 内置NTC热敏电阻
主要规格：
（除非另有说明，@Tc＝25℃）
器件型号 |
||||
封装 |
2-153A1A |
|||
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
1200 |
1700 |
|
栅极-源极电压VGSS（V） |
+25／-10 |
+25／-10 |
||
漏极电流（直流）ID（A） |
600 |
400 |
||
漏极电流（脉冲）IDP（A） |
1200 |
800 |
||
结温Tch（℃） |
150 |
150 |
||
隔离电压Visol（Vrms） |
4000 |
4000 |
||
电气特性 |
漏极-源极导通电压（感应） VDS(on)sense典型值（V） |
@VGS＝+20V， Tch＝25℃ |
0.9 @ID＝600A |
0.8 @ID＝400A |
源极-漏极导通电压（感应） VSD(on)sense典型值（V） |
@VGS＝+20V， Tch＝25℃ |
0.8 @IS＝600A |
0.8 @IS＝400A |
|
源极-漏极关断电压（感应） VSD(off)sense典型值（V） |
@VGS＝-6V， Tch＝25℃ |
1.6 @IS＝600A |
1.6 @IS＝400A |
|
开通损耗 Eon典型值（mJ） |
@Tch＝150℃ |
25 @VDS＝600V， ID＝600A |
28 @VDS＝900V， ID＝400A |
|
关断损耗 Eoff典型值（mJ） |
@Tch＝150℃ |
28 @VDS＝600V， ID＝600A |
27 @VDS＝900V， ID＝400A |
|
热敏电阻特性 |
额定NTC电阻R典型值（kΩ） |
5.0 |
5.0 |
|
NTCB值B典型值（K） |
@TNTC＝25℃-150℃ |
3375 |
3375 |
|
如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：
MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
如需了解东芝碳化硅功率器件的更多信息，请访问以下网址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司23,100名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,110亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba-semicon-storage.com