英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT，该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计，所用技术已成功应用于EasyPACK™ 2B EDT2和HybridPACK™等多款逆变器模块。
应用领域
牵引逆变器
DC Link放电开关
辅助逆变器
产品特性
出色的抗短路能力
采用TO247PLUS封装具有更大的爬电距离，更有利于系统设计
EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化，击穿电压为750 V，可支持高达470 VDC的电池电压，能显著降低开关和导通损耗。在100°C的温度条件下运行时，额定电流通常为120 A或200 A，具有极低的正向电压
相比上一代产品，导通损耗降低了13%
参数分布非常紧凑
集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）典型值与最大值之间相差不足200 mV
栅极阈值电压（VGEth）相差不到750 mV
饱和电压为正温度系数
平稳的开关特性
低栅极电荷（QG）
最高结温温度（Tvjop）175°C
供货情况
英飞凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两种型号，现已开始供货。