英飞凌推出全新车规级高压IGBT EDT2, 大幅提升电动汽车分立器件逆变器性能

英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT,该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计,所用技术已成功应用于EasyPACK™ 2B EDT2和HybridPACK™等多款逆变器模块。

应用领域

牵引逆变器

DC Link放电开关

辅助逆变器

产品特性

出色的抗短路能力

采用TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利于系统设计

EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750 V,可支持高达470 VDC的电池电压,能显著降低开关和导通损耗。在100°C的温度条件下运行时,额定电流通常为120 A或200 A,具有极低的正向电压

相比上一代产品,导通损耗降低了13%

参数分布非常紧凑

集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))典型值与最大值之间相差不足200 mV

栅极阈值电压(VGEth)相差不到750 mV

饱和电压为正温度系数

平稳的开关特性

低栅极电荷(QG)

最高结温温度(Tvjop)175°C

供货情况

英飞凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两种型号,现已开始供货。

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