东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET | 电子创新元件网

judy-- 周五, 02/03/2023 - 10:55

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。

功率MOSFET.jpg

近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构，与现有的TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流（DC）提高到400A，高出当前产品1.6倍[2]。厚铜框的使用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%[2]。这些特性有利于实现更大的电流，并降低车载设备的损耗。

凭借新型封装技术，新产品可进一步简化散热设计，显著减少半导体继电器和一体化起动发电机变频器等需要大电流的应用所需的MOSFET的数量，进而帮助系统缩小设备尺寸。当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新品分组出货[3]，即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减少特性偏差。

因为车载设备可能工作在各种温度环境下，所以表面贴装的焊点可靠性是一个需要考虑的关键因素。新品采用鸥翼式引脚降低贴装应力，提高焊点可靠性。

应用：

车载设备：变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等。

特性：

- 新封装L-TOGL™

- 高额定漏极电流：

XPQR3004PB：ID＝400A

XPQ1R004PB：ID＝200A

- AEC-Q101认证

- 低导通电阻：

XPQR3004PB：RDS(ON)＝0.23mΩ（典型值）＠VGS＝10V

XPQ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）＠VGS＝10V

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号		XPQR3004PB	XPQ1R004PB
极性		N沟道	N沟道
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）	40	40
	漏极电流（DC）ID（A）	400	200
	漏极电流（脉冲）IDP（A）	1200	600
	结温Tch（℃）	175	175
漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS＝6V	0.47	1.8
漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS＝10V	0.30	1.0
沟道到外壳热阻Zth(ch-c)最大值 @Tc＝25℃（℃/W）		0.2	0.65
封装		L-TOGL™	L-TOGL™
系列		U-MOSIX-H	U-MOSIX-H
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