大为创芯:DRAM Q3有望反弹,但NAND Flash反弹有难度

作者:张国斌,曾思敏

当一个市场处于下行趋势时,需要有新的刺激,才能改变市场的走势,在经历近一年大幅下跌之后 ,有哪些行业将给存储产业注入新的活力,改变其走势呢?在近日的2023CFMS闪存峰会上,深圳市大为创新科技股份有限公司(股票代码:002213,下称“大为股份”)旗下存储业务子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司(下称“大为创芯”)首席技术官陈宗廷在接受德赢平台 等媒体采访时指出,他认为人工智能、新能源汽车等将带动存储市场反弹。

“人工智能应用主要分为四个流程,感知、运算、学习和生成。运算跟学习会用到非常多的存储,尤其是在学习的过程中,因为要把已知的资料跟算法分别归类去做储存,所以对存储需求很大,这也是大为创芯积极在布局的市场,亦是大为创芯的优势领域,如人脸辨识、智能家居,都是贴近消费者的产品,这个领域是大为创芯有成熟产品的领域。”他解释说,“存储市场,2022年其实就已经很低迷,整个的供给是大于需求的。但是如果反过来看,DRAM各厂家已经确定减产了,所以在23年的三季度DRAM会到达一个供需平衡,然后年底有机会反弹。”

不过他认为NAND Flash反弹有难度,因为NAND flash早就已经供给大于需求了,而且随着新制程的推出,整个flash市场比较难达到一个供需平衡。 不过,数字化推动数据中心兴起,在数据中心领域,DRAM跟SSD 的需求量是非常庞大的。所以在国内数据中心带动下,会不会让整个国内市场触底反弹?他认为2023年Q4也许有机会。

此外,他认为在新能源车的带动下,车用存储器也会反弹。而随着chatGPT走热,也会用到大量的内存条和SSD,甚至延伸到消费者终端的嵌入式产品里。

他表示针对这样的趋势,大为创芯为数据中心规划了DDR5内存条,产品有望陆续在2023年第四季度和2024年第一季度量产。在新能源汽车领域,大为创芯会推出新能源汽车专用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等宽温级产品,布局汽车辅助驾驶360环视领域,目前已经有客户群。

从技术发展趋势来看,PC市场内存条已经从DDR4向DDR5迭代,网通产品也普及了DDR4,而嵌入式存储产品今年有望从DDR3升级到DDR4。一方面原因是DDR3减产导致供给不足,消费者对存储性能要求提升;另一方面,去年疫情影响了消费信心,运营商支出缩减,导致DDR4推广进程被推迟。

“大为创芯会将DDR3和DDR4作为今年推广重点。”陈宗廷表示,“今年公司嵌入式存储的重点还是以网通为应用中心,配合大为股份智能终端事业板块的发展。”

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