东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。
SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。
东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。
应用
- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。
特性
- 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
- 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
- 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 |
SSM10N954L[2] |
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配置 |
N沟道共漏极 |
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绝对最大额定值 |
源极-源极电压VSSS（V） |
12 |
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栅极-源极电压VGSS（V） |
±8 |
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源极电流（DC）IS（A） |
20.0 |
13.5 |
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电气特性 |
栅源漏电流IGSS |
@VGS＝±8V |
±1 |
|
源极-源极导通电阻RSS(ON) |
@VGS＝4.5V |
1.00 |
2.1 |
|
@VGS＝3.8V |
1.10 |
2.2 |
||
@VGS＝3.1V |
1.25 |
2.4 |
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@VGS＝2.5V |
1.60 |
3.1 |
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封装 |
名称 |
TCSPED-302701 |
TCSPAC-153001 |
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尺寸典型值（mm） |
2.74×3， |
1.49×2.98， |
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库存查询与购买 |
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[1] 截至2023年5月的东芝调查，与相同额定值的产品进行比较。
[2] 已发布产品。
如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
SSM14N956L
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