牢固耐用的GaN功率半导体领先企业阐述其常关D模式平台设计如何利用GaN的固有优势，而竞争对手E模式设计则必须降低性能
牢固耐用GaN功率半导体领域的全球领先企业Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 宣布发布题为The Fundamental Advantages of D-Mode GaN in Cascode Configuration（共源共栅配置D模式GaN的基本优势） 的最新白皮书。该白皮书提供了有关共源共栅（常闭）d模式GaN平台固有优势的简要指导。重要的是，本文继续解释了e模式平台如何要在根本上（物理层面）削弱一些固有性能优势，才能提供常关解决方案。本白皮书可在此处下载：https://bit.ly/wpdmodeganch。
白皮书要点
该白皮书介绍了常关d模式GaN平台具备的几个关键优势，包括：
1. 实现更高性能：优异的TCR (~25%)和更低的动态至静态导通电阻比 (~25%)，从而降低损耗/提高效率，并提供更优品质因数 (FOM)。
2. 轻松保持更高功率运行状态：Transphorm d模式具有更高的饱和电流，而e模式必须并联才能实现相同的电流，但这会导致功率密度和可靠性降低。
3. 牢固耐用，易于驱动：最耐用的栅极采用硅MOSFET SiO2栅极接口，不受e模式的p栅极限制，与硅基驱动器和控制器兼容。
“宽带隙行业长期以来一直在争论常关d模式GaN或e模式哪种解决方案更好。”Transphorm业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示， “当我们首次进入市场时，我们探索了这两种选择，并选择了常关d模式解决方案，因为这是最可靠的选择，具有最强的性能和广泛的驱动器兼容性。它还具备全面的长期路线图以及e模式反复验证都不具备的系统设计能力。本白皮书旨在明确解释我们为何以这种方式设计GaN，从而帮助客户深入了解他们在选择GaN器件时的所得所获。”
十多年来，Transphorm凭借最可靠的GaN平台成功引领行业，目前现场运行时间已超过2000亿小时，支持从低功率系统到高功率系统的最广泛应用。公司率先获得JEDEC资质。率先取得AEC-Q101（汽车）资格。率先发布900V平台。目前正在开发用于800 V电动汽车电池应用的1200 V演示平台。
Transphorm展示的一款四象限开关能在微型逆变器和双向系统等目标设计中将器件数量减少两到四个。此外，这款开关还具备5微秒的短路承受时间 (SCCL)，从而打开了价值数十亿美元的电机控制和电动汽车动力总成应用市场。
凭借其全面的产品平台，该公司已经实现了从数十瓦到7.5千瓦客户产品的设计导入和量产，其应用范围包括计算（数据中心和网络电源、高性能游戏、区块链、人工智能计算）、能源/工业（任务关键型UPS和微型逆变器）以及消费类适配器/快速充电器（笔记本电脑、移动设备、家用电器）。该公司将这一切归功于其最初为客户提供的常关d模式设计。
白皮书概要
总体而言，本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势，从而创建具有更高可靠性、可设计性、可驱动性、可制造性和多功能性的卓越平台。
具体来说，本白皮书探讨了二维电子气通道 (2DEG) 的作用，这是一种在GaN HEMT栈中自发形成的自然现象。由于所有GaN平台（包括e模式）的核心都是常开d模式平台，本文将继续研究2DEG和整个平台的性能如何取决于是选择d模式还是e模式来关闭平台。
最后纠正有关常关d模式和e模式器件性能的一些误区。
白皮书获取方式
此白皮书可通过以下链接免费下载：www.transphormchina.com/document/wp-dmode-gan-advantages。
关于 Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN创新的全球领先企业，为高电压功率转换应用设计和制造高性能、高可靠性的GaN半导体。Transphorm拥有庞大的功率GaN知识产权组合，包括超过1000个自有或授权专利。Transphorm生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高电压GaN半导体器件。公司的垂直一体化器件业务模式能够实现在设计、制造、器件和应用支持等每一个开发阶段进行创新。Transphorm的创新推动电力电子技术突破了硅材料的局限，实现了99%以上的效率，使功率密度提高50%，系统成本降低20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市，在戈莱塔和日本会津设有制造业务。若要了解更多信息，请访问http://www.transphormchina.com。敬请关注我们的Twitter@transphormusa和微信@ Transphorm_GaN。