英诺赛科发布60V GaN,为PD3.1提供更多选择

随着 USB PD3.1 快充标准的正式发布,功率范围由原本的 20V 向 28V、36V、48V 拓展,对应的输出电流最大为5A,输出功率最大可达240W。为了适配 PD3.1 标准下更多电压等级的应用场景,英诺赛科宣布推出60V增强型氮化镓功率芯片 INN060FQ043A。

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INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装,导通电阻 4.3mΩ,在与 40V InnoGaN(INN040FQ043A)封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上,将耐压等级提升到60V,确保更大功率输出,同时实现小体积,低损耗,高频高效等优势。该款产品同样满足工业级可靠性要求,主要应用于高频DC-DC转换器、笔记本电脑充电器、移动电源等应用场景。

产品特性

采用先进的超低导通电阻低压技术

极低的栅极电荷

超小封装 FCQFN 3mm x 4mm

零反向恢复充电电量

产品优势

FOM值为MOSFET 的 1/2,适用于高频高功率密度的应用场景;

在 1.2MHz 高频下,与市场上最佳的硅器件相比,该芯片功率损耗可降低约 1.2W,效率提高1%;

更低温升、更小占板面积。

应用领域

高频DC-DC转换器

笔记本充电器

移动电源

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INN060FQ043A 规格书首页

此前,英诺赛科已推出40V(INN040FQ043A) 和 100V(INN100FQ070A)产品,分别可适用于 PD3.1 Buck-Boost Charger 应用中的 28V / 48V 电压场景。此次发布的 60V Single GaN INN060FQ043A,拓宽了电压范围,补全了 PD3.1 36V 电压等级的应用场景,使客户在 PD3.1 全电压等级均有更为适配的产品进行选择,为客户提供了更加灵活、高效的设计选择和更完善的解决方案。

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Innoscience GaN App. for Buck-boost inside Notebook

目前,INN060FQ043A 已进入小批量试产,可通过官网查询到详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。如需申请样品,可后台私信小编,或点击右下角联系所在地区对应销售。

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