随着 USB PD3.1 快充标准的正式发布，功率范围由原本的 20V 向 28V、36V、48V 拓展，对应的输出电流最大为5A，输出功率最大可达240W。为了适配 PD3.1 标准下更多电压等级的应用场景，英诺赛科宣布推出60V增强型氮化镓功率芯片 INN060FQ043A。
INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V，确保更大功率输出，同时实现小体积，低损耗，高频高效等优势。该款产品同样满足工业级可靠性要求，主要应用于高频DC-DC转换器、笔记本电脑充电器、移动电源等应用场景。
产品特性
采用先进的超低导通电阻低压技术
极低的栅极电荷
超小封装 FCQFN 3mm x 4mm
零反向恢复充电电量
产品优势
FOM值为MOSFET 的 1/2，适用于高频高功率密度的应用场景；
在 1.2MHz 高频下，与市场上最佳的硅器件相比，该芯片功率损耗可降低约 1.2W，效率提高1%；
更低温升、更小占板面积。
应用领域
高频DC-DC转换器
笔记本充电器
移动电源
INN060FQ043A 规格书首页
此前，英诺赛科已推出40V（INN040FQ043A） 和 100V（INN100FQ070A）产品，分别可适用于 PD3.1 Buck-Boost Charger 应用中的 28V / 48V 电压场景。此次发布的 60V Single GaN INN060FQ043A，拓宽了电压范围，补全了 PD3.1 36V 电压等级的应用场景，使客户在 PD3.1 全电压等级均有更为适配的产品进行选择，为客户提供了更加灵活、高效的设计选择和更完善的解决方案。
Innoscience GaN App. for Buck-boost inside Notebook
目前，INN060FQ043A 已进入小批量试产，可通过官网查询到详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。如需申请样品，可后台私信小编，或点击右下角联系所在地区对应销售。