氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。
总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。
英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V升级到700V，并迅速量产出货
Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率，验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案
Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装
氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中
本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势
新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W
本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项
本文将为您介绍GaN FET与高效电池隔离技术的发展，以及Nexperia所推出的GaN FET与专用电池隔离MOSFET的产品特性。
本文将介绍使用不同类型的 GaN FET 进行设计来提高系统设计的功率密度所需考虑的最重要因素。
该系统即将在现实环境中进行一系列测试，据信测试结果将超出预期，从而提高整个汽车动力系统的效率。