使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展
judy-- 周四, 04/13/2023 - 15:47
本文将说明我们在高深宽比通孔钨填充工艺中，利用虚拟DOE实现了对空隙的有效控制和消除。
泛林集团
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容
judy-- 周五, 03/24/2023 - 10:18
本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型
使用虚拟实验设计预测先进FinFET技术的工艺窗口和器件性能
judy-- 周二, 01/10/2023 - 11:16
作者：Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合 (SPI) 高级工程师王青鹏博士