英飞凌

IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E

英飞凌作为半导体技术和市场应用的领军企业，发布了一系列具有差异化附加价值的创新半导体，并同时推出了一款适用于光伏应用的半桥拓扑评估板

新器件在85摄氏度条件下的数据保存期长达120年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。

英飞凌推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%

英飞凌推出PSoCTM4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器，通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上，满足汽车电池管理行业的需求

本文主要介绍非隔离型的全桥以及HERIC两种较为常用的拓扑结构。

这款栅极驱动器IC的功能安全性达到ISO 26262 ASIL B标准，并采用小型TS-DSO-32封装。该IC拥有高达110 V的高压性能

针对不同的电压与电流等级，本文提供了英飞凌针对各种拓扑的参考器件选型方案，为设计高效可靠的MPPT提供便利。

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。