ROHM推出更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
judy-- 周三, 03/08/2023 - 14:30
ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
EcoGaN
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
judy-- 周五, 03/25/2022 - 10:00
EcoGaN™第一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化