EUV工艺

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺

TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺,用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化

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