MOSFET

本文介绍了一个特定的雪崩功率函数，它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础

在现代电子中，三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”，但很多人可能一知半解，或只知其一不知其二，尤其是电子新手，接下来跟着我们重新认识一下他们吧。

三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品

此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封装，体积缩小 60%

新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装，提高系统功率密度，改进热性能

全新高压aMOS5™进一步升级，可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件，可阻止电流反向流入负载开关

东芝电子推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护