MOSFET

首款汽车级PolarP™ P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

东芝推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。

芯导科技的PSM8N065R3，具有65V耐压，2.5Ω的导通电阻，优异的FOM值，并且特别优化了适配同步整流控制器的门极驱动能力和开关EMI特性

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格

本文所讲述的应用，将帮助设计人员在各种工业应用中选择使用这些器件以提高效率并增加系统的可靠性

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[

600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%

东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路