新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz+/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。
NID5100是基于PMOS的理想二极管，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍
新器件的额定电压为50 V和80 V，支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围
在半导体领域，电源管理是一个很“卷”的市场，这是不争的事实。一方面，众多半导体厂商都在追求更高的效率、更紧凑的封装、更高的能量密度之路上狂奔
新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用
Nexperia提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性
本文介绍了Nexperia的创新型电源管理集成电路(PMIC)，该集成电路将从根本上提高能量采集的可行性，且环境效益显著。
这是一款功能强大的网络工具，旨在帮助电池管理工程师最大限度地延长其应用的电池寿命或实现无电池应用。
此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封装，体积缩小 60%
Nexperia今日宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合