Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET
judy-- 周二, 05/07/2024 - 10:15
第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效
第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效
SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降60 %