Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供电电流低至5 mA,电压范围2.7 V至5.5 V
judy-- 周四, 12/07/2023 - 14:51
高速器件有助于工业应用节能,适用于低压微控制器和I2C总线系统
高速器件有助于工业应用节能,适用于低压微控制器和I2C总线系统
Vishay 推出采用玻璃-金属密封条密封的新系列液钽电容器。D 型封装器件容量达 470 µF 至 1500 µF,120 Hz 和 + 25 °C 条件下标准容差为 ± 20 %,同时提供公差为 ± 10 % 的产品
microBRICK®器件采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封装,小于竞品解决方案69 %,输入电压4.5 V至 60 V
Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%,该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。
器件配置内部设计的新型IC,以引脚兼容方式替换前代解决方案,功耗降低50 %,同时改善性能
本文介绍基于Vishay SiP12109 COT BUCK拓扑的同步降压转换器产生负电压, 通过简单修改电路的参考节点
节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装,内置3 A,600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS
器件采用小型1.85 mm x 1.2 mm x 0.6 mm SMD封装,电流传输比达31 %,感应距离15毫米,且功耗更低
器件厚度仅为0.88 mm,有效节省空间,采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装,可改善热性能并提高效率
器件典型光照强度1.3 mWm2,典型反射和接近探测距离分别达到1米和11米,适用于光幕应用