Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET,提升750V电动汽车设计性能
judy-- 周二, 01/30/2024 - 10:40UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
GaN产业已经建立一套方法来保证GaN产品的可靠性,因此问题并不在于“GaN是否可靠?”,而是“如何验证GaN的可靠性?”
新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发,适用于数据中心和广泛工业应用
下面为方便电子工程师快速准确的选择场效应晶体管,可以从以下六大诀窍着手。