门极驱动正压对功率半导体性能的影响
judy-- 周四, 01/25/2024 - 11:17本文将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
本文将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%
新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术,关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%,反向恢复损耗降低32%。因此,实际测量值中总开关损耗降低24%,而导通损耗没有任何增加。
为了大大减少开通损耗,英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚,称为开尔文发射极,专门用于驱动回路。