东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率 judy-- 周四, 07/13/2023 - 11:49 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构。
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET judy-- 周一, 12/12/2022 - 16:04 该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD),以实现低导通电阻和高可靠性。