了解SiC器件的命名规则

作者:电源漫谈

了解清楚SiC器件的命名规则,对快速分辨型号差异有很大的帮助,本文重点介绍一下SiC器件的命名详细规则。

图1 SiC的分立器件的命名规则.png

图1 SiC的分立器件的命名规则

如图1所示,对于分立SiC器件来说,MSC前缀代表microchip产品,接下来的三位数字代表SiC二极管电流能力或者SiC MOSFET的导通电阻,接着三位英文字母S代表是碳化硅器件,D代表是SiC 二极管,而M代表是SiC mosfet,图示中的y代表是产品的版本或者代数。接下来三位数字代表其耐压,如070代表700V耐压。

值得一提的是最后的字母部分,这代表其封装参数,如B为TO-247-3L,B4代表TO-247-4L,K代表TO-220,D/S代表Die产品。S代表D3PAK,J代表SOT-227等。

图2 SiC Power Module的型号命名说明.png

图2 SiC Power Module的型号命名说明

SiC模块的命名稍微复杂一些,如图2中可以详细参考,此处不详述。


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