SiC

在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色

本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。

本文简要回顾了与经典的硅 (Si) 方案相比，SiC技术是如何提高效率和可靠性并降低成本的。

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆

器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案

本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势，以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。

数据中心是数字世界的支柱，其中大量的服务器为互联网、云计算和其他数据驱动型服务赋能。

本系列文章将重点讨论直流链路环路电感和栅极环路电感对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响

本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案