IGBT如何选择,你真的了解吗?
judy-- 周二, 07/04/2023 - 14:23在本文中,我们介绍 IGBT 器件的结构和运行,并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构
SiC是碳化硅(Silicon Carbide)的缩写,是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。
在本文中,我们介绍 IGBT 器件的结构和运行,并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构
根据该合作协议,双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。
该模块降低了内部电感,并集成了第二代SiC芯片,有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
三菱电机和材料、网络和激光领域的开拓者Coherent近日宣布,双方已签署一份谅解备忘录,将在扩大生产200mm SiC功率器件方面进行合作
在本文中,我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势,这项新功能可让设计人员优化系统参数
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈
在这篇文章中,作者分析了运输辅助动力装置(APU)的需求,并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性
随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。
基于PLECS的工具可在将设计实现为硬件之前,快速评估针对各种电源开关拓扑结构的解决方案
在过去的几年里,碳化硅(SiC)开关器件,特别是SiC MOSFET,已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。