SiC

了解清楚SiC器件的命名规则，对快速分辨型号差异有很大的帮助，本文重点介绍一下SiC器件的命名详细规则。

设计工程师越来越多地转向碳化硅（SiC）器件。宽带隙（WBG）技术能够提供更高的效率、开关频率和设计密度，并且具有更佳的总体性能

本文将针对双向OBC/DCDC这个应用，阐述宇宙辐射的影响以及评估系统可靠性的方法。

本文我们将重点介绍第三代半导体中的SiC（碳化硅）如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标

摩尔定律已逼近物理极限。“卷不过”就换赛道，宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一

Wolfspeed 功率模块产品线包括 WolfPACK 模块，这些模块提供符合行业标准的无基板式封装，工作电压和电流分别高达 1.2 kV 和 200 A

功率转换器可以使用不同技术的宽带隙半导体，人们常常会比较这些半导体的开关速度和边缘速率。速度越快，支持的运行频率就越高、损耗就越低

本文主要针对驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)本身对SiC MOSFET在使用过程中的影响做出讨论。

碳化硅（SiC）技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。

本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量，可协助用户计算缓冲电路电阻的额定功率。