碳化硅 | 电子创新元件网 - 德赢平台,德赢ac米兰官方区域合作伙伴

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

judy-- 周二, 04/11/2023 - 10:16

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

judy-- 周五, 03/31/2023 - 16:24

本文将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程并展示安森美在这方面的创新技术与成果

judy-- 周四, 03/23/2023 - 14:56

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加

judy-- 周五, 03/17/2023 - 16:44

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。

judy-- 周五, 02/17/2023 - 10:22

本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅在中功率和高功率OBC中的优势。

judy-- 周三, 02/15/2023 - 14:22

在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料

judy-- 周三, 02/08/2023 - 14:47

这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。

judy-- 周四, 02/02/2023 - 14:44

将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件

judy-- 周一, 01/30/2023 - 17:05

TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管，并于2022年7月公布了首批图像

judy-- 周五, 01/13/2023 - 10:44

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大