TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨
judy-- 周三, 12/07/2022 - 11:14去年,TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量,对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性
去年,TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量,对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性
在涉及电子产品,尤其是集成半导体时,体积至关重要。数十年来,行业发展一直符合摩尔定律,它预测晶体管成本会年年降低
本文分析了目前不间断电源(UPS)在互联网数据中心中的应用和发展趋势。
通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术,将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。
本文我们将重点介绍第三代半导体中的SiC(碳化硅)如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标
在功率器件半导体领域,越来越需要高频高功率耐高温的功率器件,随着时间发展,硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限
碳化硅MOS 芯片具有优异的高频特性,在高频应用中,传统的TO-247封装会制约其高频特性。
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新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS(on),是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定值的器件
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