MOSFET

本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。

该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用

灵活的器件采用PressFit引脚压合技术，在小型封装中内置各种电路配置

Nexperia（安世半导体）通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的 SOA 数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。

36V 锂离子电池是当今工具和户外动力设备的常用电源。由 36V 电池供电的产品得益于高功率输出和较长的电池寿命，同时也相对较轻且易于使用

智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代，功能越来越丰富，随之带来了耗电量急剧上升的挑战

该产品采用的小型TSOP6F封装，减少了所占板载空间。额定功率损耗为1.5W，不会造成能源浪费

DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理

豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。