碳化硅 | 电子创新元件网 - 德赢平台,德赢ac米兰官方区域合作伙伴

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

judy-- 周二, 08/13/2024 - 11:52

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度

judy-- 周二, 07/09/2024 - 10:10

本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案

judy-- 周四, 06/13/2024 - 14:46

judy-- 周二, 06/11/2024 - 15:24

具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电

judy-- 周五, 06/07/2024 - 10:47

本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案

judy-- 周四, 03/21/2024 - 10:20

在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局

judy-- 周三, 03/06/2024 - 09:58

本文将探讨 Wolfspeed WolfPACK 功率模块如何将损耗降低高达 50%，同时实现更小、更轻、热稳定性更高的嵌入式 25 kW 三相工业低电压电机驱动器。

judy-- 周四, 02/29/2024 - 10:46

Qorvo推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置

judy-- 周二, 02/27/2024 - 10:29

STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性

judy-- 周二, 01/30/2024 - 10:40

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率